基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型(英文)

摘要

提出了部分耗尽SOIMOSFET物理模型,SOIMOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性。