Charge-coupled devices; Readout systems; Astronomy; N-type conductors; Performance; Mathematical models; Point-spread function;
机译:围绕栅极MOSFET(SRGMOSFET)的基于连续电荷的显式紧凑模型,可在部分耗尽到完全耗尽之间平滑过渡
机译:具有耗尽非吸收区的大电流背照式部分耗尽吸收体p-i-n光电二极管
机译:在兼容CMOS的SOI上完全耗尽和部分耗尽的SiGe HBT中的X射线辐照和偏置效应
机译:对部分耗尽和完全耗尽应用的SOI氧化埋藏式可靠性的系统评估
机译:应力路径及其对部分枯竭地层钻井的影响
机译:载脂蛋白B贫血血浆中与阿尔茨海默氏病相关的高密度脂蛋白的血管保护功能部分保留
机译:耗尽和部分耗尽的CCD中的点传播功能