全耗尽SOI　nMOSFET的浮体效应物理模型

摘要

本文提出了一个短沟道、包含寄生双极晶体管效应的物理解析模型来分析薄膜ＳＯＩｎＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型通过研究各种寄生电流成分对源漏电流和浮体电位的贡献，以及浮体电位的变化对器件其他参数如阈值电压和寄生寄生双极电流各成分的影响，成功地解释了器件处于背界面积累状态时的“Ｋｉｎｋ”现象和器件的异常击穿机理．本模型模拟结果从不同偏置电压、不同器件尺寸几方面较好地拟合了实验曲线，同时还得到结论，器件处于背面积累状态时由于碰撞离化作用产生的空穴的源端堆积使浮体电位升高导致器件的阈值电压突然降低，因而输出电流出现“Ｋｉｎｋ”效应；浮体电位的升高还导致器件寄生双极晶体管的开启与正向反馈，使得器件击穿电压过低．本物理模型的确立为从理论上提出抑制浮体效应提供依据．