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机译:纳米结构全耗尽SOI MOSFET的窄宽度效应的仿真分析
Mani Prashant; Pandey Manoj Kumar;
机译:体绑部分耗尽SOI MOSFET的窄幅效应
机译:4nm宽度极窄的GaA硅纳米线MOSFET中的漏极电流变性分量分析
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:高长宽比小腔铝型材舷窗模具挤压工艺及模具结构改进的仿真分析
机译:用于模拟电路仿真的基于物理的部分耗尽sOI mOsFET的紧凑模型
机译:制造高密度窄宽度MOSFET的结构和方法
机译:提取SPICE参数,进行香料计算以及对部分耗尽的SOI MOSFET进行器件仿真的方法
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