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【2h】

Influence of Geometrical Parameters on the DC Analog Behavior of the Asymmetric Self-Cascode FD SOI nMOSFETs

机译：几何参数对非对称自级码FD SOI NMOSFET的DC模拟行为的影响

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Rafael Assalti; Denis Flandre; Michelly De Souza;
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年度 2018
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1. On the improvement of DC analog characteristics of FD SOI transistors by using asymmetric self-cascode configuration [J] . de Souza Michelly, Flandre Denis, Doria Rodrigo Trevisoli, Solid-State Electronics . 2016,第Mara期

机译：通过使用非对称自共源共栅配置改善FD SOI晶体管的DC模拟特性
2. Asymmetric channel doping profile and temperature reduction influence on the performance of current mirrors implemented with FD SOI nMOSFETs [J] . Michelly de Souza, Bruna Cardoso Paz, Denis Flandre, Microelectronics & Reliability . 2013,第6期

机译：非对称沟道掺杂分布和温度降低对使用FD SOI nMOSFET实现的电流镜性能的影响
3. Low temperature influence on the uniaxially strained FD SOI nMOSFETs behavior [J] . M. de Souza, M. A. Pavanello, J. A. Martino, Microelectronic Engineering . 2007,第9a10期

机译：低温对FD SOI nMOSFET单轴应变行为的影响
4. Channel width influence on the analog performance of the asymmetric self-cascode FD SOI nMOSFETs [C] . R. Assalti, M. de Souza, D. Flandre 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices . 2017

机译：沟道宽度对非对称自共源FD SOI nMOSFET的模拟性能的影响
5. Simulation of the effect of system and geometrical parameter variations on wave scattering from buried objects using FDTD. [D] . Ajayi, Olubusola Folakemi. 2000

机译：使用FDTD模拟系统和几何参数变化对来自地下物体的波散射的影响。
6. The Behavioral Effects of tDCS on Visual Search Performance Are Not Influenced by the Location of the Reference Electrode [O] . Amanda Ellison, Keira L. Ball, Alison R. Lane 2017

机译：tDCS对视觉搜索性能的行为影响不受参考电极位置的影响
7. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [O] . V. T. Itocazu, V. Sonnenberg, J. A. Martino, 2017

机译：地面平面对不同UTBB NMOSFET技术的模拟参数影响

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