公开/公告号CN208422920U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-01-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中证博芯(重庆)半导体有限公司;
申请/专利号CN201821728293.5
申请日2018-10-24
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构50218 重庆信航知识产权代理有限公司;
代理人穆祥维
地址 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
入库时间 2022-08-22 07:57:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/06 登记生效日:20190422 变更前: 变更后: 申请日:20181024
专利申请权、专利权的转移
2019-01-22
授权
授权
机译: 制造SOI MOS器件结构以抑制浮体效应的方法
机译: 高角度离子注入抑制SOI MOS器件的浮体效应的方法
机译: 制造抑制浮体效应的混合SOI器件的方法