University of Illinois at Urbana-Champaign.;
机译:In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As和InP结光电晶体管场效应晶体管的性能。二。光接收机分析
机译:In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As和InP结光电晶体管场效应晶体管的性能。一,设备分析
机译:隧道场效应晶体管中用于单极传导的III-V组三元化合物半导体材料
机译:适用于高级电子和光电应用的6.1埃III-V半导体的工程异质结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:固溶处理的大面积二维晶体于场效应晶体管和光电晶体管的有机半导体的研究
机译:si上的增强型金属 - 绝缘体 - 半导体GaN / alInN / GaN异质结构场效应晶体管,阈值电压为+ 3.0V,阻断电压高于1000V
机译:上海无线电厂14.全国第一家专注于mOs集成电路的无线电厂。理想的半导体器件,场效应晶体管和mOs集成电路。