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ULSI铜互连技术中电镀工艺的完整填充性

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给电镀液中加入适当的整平剂,同时采用了三步电流法,成功的将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm:0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充.所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ·cm,X衍射的分析结果显示出的Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|178-181|共4页
会议地点昆明
作者
张国海; 夏洋; 钱鹤; 王文泉; 龙世兵;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;互连及多层布线技术;
关键词
集成电路; 电镀工艺; 铜互连技术; 填充性;

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