• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《电镀与涂饰》 >三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展

三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向.

著录项

  • 来源
    《电镀与涂饰》 |2021年第5期|358-361|共4页
  • 作者

    周苗淼; 张雨; 沈喜训; 徐群杰;

  • 作者单位

    上海电力大学 上海 200090;

    上海市电力材料防护与新材料重点实验室 上海 200090;

    上海热交换系统节能工程技术研究中心 上海 200090;

    上海电力大学 上海 200090;

    上海市电力材料防护与新材料重点实验室 上海 200090;

    上海热交换系统节能工程技术研究中心 上海 200090;

    上海电力大学 上海 200090;

    上海市电力材料防护与新材料重点实验室 上海 200090;

    上海热交换系统节能工程技术研究中心 上海 200090;

    上海电力大学 上海 200090;

    上海市电力材料防护与新材料重点实验室 上海 200090;

    上海热交换系统节能工程技术研究中心 上海 200090;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ153.14;
  • 关键词

    芯片; 硅通孔; 铜互连; 电镀; 添加剂; 综述;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号