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一种半导体衬底、三维封装芯片及其硅通孔的封装方法

摘要

本发明公开了一种半导体衬底、三维封装芯片及其硅通孔的封装方法。所述半导体衬底具有贯穿所述半导体衬底的硅通孔;所述硅通孔的内表面的周向沉积有厚度小于2μm的导电材料,所述硅通孔中导电材料的体积分数为5vol.%~95vol.%,所述硅通孔的中心留有贯穿所述硅通孔的缝隙。本发明通过仅在硅通孔的内表面的周向沉积导电材料,使得半导体衬底上硅通孔的中心仍然留有一定的空隙,从而制得的三维封装芯片在遇到冷热环境时不易变形,从而提高了成品率,延长了三维封装芯片的寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN106711095A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201611138133.0

  • 发明设计人 李操;费鹏;刘胜;

    申请日2016-12-12

  • 分类号H01L23/13(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/538(20060101);H01L21/56(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人朱仁玲

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 02:17:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/13 申请日:20161212

    实质审查的生效

  • 2017-05-24

    公开

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