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郝秋艳; 刘彩池; 王海云; 任丙彦;
中国电子学会;
单晶硅; 微缺陷; 间隙氧含量; 缺陷分析;
机译:退火气氛对大直径CZSi单晶中空隙缺陷的影响
机译:n型和P型单晶硅硅中1 eV电子照射诱导缺陷的研究
机译:<100> p型大直径CZ-Si晶体中新的微缺陷的退火行为
机译:高质量和低电阻率的生长Φ100mmp型4h-sic单晶
机译:p型锗单晶中晶格缺陷的退火
机译:多晶铁单晶中辐射致缺陷的X射线微衍射分析
机译:用低压化学气相沉积种植的单晶P型3C-SiC(100)薄膜的压电厅效果
机译:III型氮化物中p型掺杂和相关缺陷的系统研究:氮化物HBT的途径。
机译:制造单晶基体的方法,评估单晶基体的方法和单晶基体,可以在表面近端区域形成高块状微缺陷密度
机译:成像和显示半导体单晶,程序,程序记录和计算机可读记录介质中的大块微缺陷的方法
机译:检测单晶硅中微缺陷的方法
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