机译:用低压化学气相沉积种植的单晶P型3C-SiC(100)薄膜的压电厅效果
机译:低压化学气相沉积法在3C-SiC(100)/ Si外延层上形成单晶硅薄膜
机译:低载流子浓度的单晶n型3C-SiC(100)的压电霍尔效应和基本压电霍尔系数
机译:低压化学气相沉积在3C-SiC(100)/ Si外膜中的单晶Si薄膜的阐述
机译:通过光子辅助的电子回旋共振化学气相沉积法生长的非晶和微晶硅薄膜,用于异质结太阳能电池和薄膜晶体管。
机译:常压等离子体化学气相沉积法生长掺锌铜的抗菌氧化硅薄膜
机译:具有低载体浓度的单晶N型3C-SiC(100)的压电厅效应和基本压电厅系数
机译:单晶硅上LpCVD(低压化学气相沉积)钨膜隧道形成条件