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前言
第一章深亚微米集成电路用大直径直拉硅单晶中微缺陷研究现状综述
§1.1集成电路发展趋势及对硅单晶材料的要求
§1.2大直径CZSi单晶中的微缺陷
1.2.1硅单晶中的微缺陷
1.2.2大直径硅单晶中空洞型微缺陷种类
1.2.3 Void微缺陷的形成
1.2.4杂质对Void微缺陷的影响
1.2.5 Void微缺陷对器件性能的影响
1.2.6 Void微缺陷的消除
§1.3氧沉淀
§1.4 RTA技术在集成电路中的应用
§1.5本论文主要研究内容
第二章实验设备及样品制备
§2.1实验设备
§2.2实验样品制备
第三章深亚微米集成电路用大直径CZSi单晶中的void微缺陷的腐蚀与显示
§3.1大直径硅单晶中FPDs的微观形貌
§3.2腐蚀机理及抛物线模型
§3.3小结
第四章RTA退火气氛对轻掺硅单晶中void缺陷的影响
§4.1实验
§4.2实验结果
4.2.1热处理气氛对FPDs微观结构的影响
4.2.2 RTA处理条件对FPDs密度的影响
4.2.3 RTA退火对硅片中间隙氧含量的影响
§4.3高温RTA工艺对FPDs的影响机制
§4.4小结
第五章RTA对重掺硅单晶中的void微缺陷的影响
§5.1掺杂剂原子对大直径CZSi单晶中的流动图形缺陷的影响
§5.2 RTA条件下重掺硅单晶中的流动图形缺陷消除机制
§5.3小结
第六章RTA预处理对轻掺CZSi中的MDZ的影响
§6.1实验方案
§6.2实验结果
§6.3分析与讨论
§6.4小结
结论
参考文献
在学期间发表论文情况说明及参与的科研项目情况
致谢
天津大学;