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多层硅外延生长技术研究

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本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|59-61|共3页
会议地点昆明
作者
李智囊; 毛儒炎; 冯建; 陈洪波; 李文;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN304.4;
关键词
硅; 外延片; 外延生长; 掺杂技术;

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