复合栅控二极管技术提取热载流子诱生的SOI NMOS器件界面陷阱横向分布的研究

摘要

本文提出了复合栅控二极管技术提取MOS器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的SOI NMOS器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的模向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.