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何进;
中国电子学会;
复合栅控二极管;
机译:一种新颖的实验技术:组合栅二极管法提取SOI NMOSFET中界面陷阱的横向分布
机译:一种用于提取MOSFET器件中界面陷阱和有效氧化物陷阱电荷密度的横向分布的新型电荷泵方法
机译:使用浮栅技术在n-MOS晶体管的热载流子应力过程中表征氧化物陷阱和界面陷阱的形成
机译:研究热载流子引起的界面损伤漏极至衬底栅控二极管的小信号特性
机译:从界面陷阱处复合电流的线形中提取亚微米MOS晶体管中的沟道杂质浓度分布
机译:栅可调并五苯/ MoS2 p-n异质结二极管的陷阱介导电子输运性质
机译:器件缩放对热载流子感应界面和MOSFET中氧化物陷阱电荷分布的影响
机译:si栅mOs器件中界面陷阱累积的场依赖性。
机译:降低栅氧化物界面附近电荷陷阱密度的半导体器件制造方法
机译:包括双栅控二极管结构的半导体器件
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