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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错

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本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可能是氧沉淀生长的延滞现象引起的.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|54-56|共3页
会议地点昆明
作者
储佳; 杨德仁; 马向阳; 樊瑞新; 李立本; 阙端麟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN304.07;
关键词
直拉硅; 氮; 氧化诱生层错; 单晶硅; 氧含量; 氧沉淀;

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