氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响

摘要

该文研究了不同低温热处理时间下,氮对OSF的影响,认为:氮能促进氮沉淀;当750℃热处理时间超过4小时,继以1100℃/8小时热处理时,热氧化后会形成大量的位错(环),由此与ACz-Si相比,NCz-Si中的层错密度较少,而且增加较少;随着低温热处理时间的增加,OSF尺寸增加;经历相同热处理、热氧化工艺的NCz-Si较ACz-Si有较大的OSF.该文进行了氮对OSF生长规律的影响的研究,得到以下结论:氮对氧沉淀的促进作用是由于它能使氮沉淀(核)非常稳定,在很高温度时不会溶解,而未掺氮的硅单晶中的氧沉淀在较长时间高温(1150℃)热处理后会溶解;氮还能引起氧沉淀形态发生变化,使生成大量杆状、片状的氧沉淀,由此引起位错(环),使OSF的生长规律发生变化;另外,在氧化条件下,位错与层错能同时存在.含氮硅单晶中OSF的行为的变化(与非含氮硅单晶相比),源于氮能引起氧沉淀形态的变化,由此诱发位错(环),吸收大量自间隙原子.位错(环)与OSF的相互作用有待进一步研究.

目录

文摘

英文文摘

前言

第一章 文献综述

1.1引言

1.2直拉硅单晶中的氧及氧沉淀

1.2.1直拉单晶硅中氧的引入及其基本性质

1.2.2氧沉淀及环状分布的微缺陷的形成

1.3氧化诱生层错的性质、成核和生长机制

1.3.1硅的热氧化

1.3.2 OSF的成核和长大

1.3.3影响OSF的因素

1.4氧化诱生层错的检测

1.5氮对硅中氧沉淀的影响

1.5.1硅中氮的引入

1.5.2氮对硅中点缺陷、氧及氧沉淀的作用

1.6本工作的研究内容

参考文献

第二章 低温热处理时间对氮对OSF影响

2.1引言

2.2实验设备及方法

2.3实验结果与讨论

2.3.1氧含量

2.3.2氧化诱生层错

2.3.3关于OSF的确认

2.3.4氧化时NCz-Si中产生的位错(环)

2.4结论

参考文献

第三章 氮对OSF生长规律的影响

3.1引言

3.2实验

3.3结果与讨论

3.3.1氧化层厚度

3.3.2氧含量

3.3.3氧沉淀的红外测量

3.3.4 OSF

3.4结论

参考文献

第四章 结论

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