离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

摘要

本论文研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO<,2>的特性.实验证明氮化后的薄SiO<,2>栅具有明显的抗硼穿通能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Q<,bd>)比常规栅介质提高了20﹪.