Dielectric films; Oxynitrides; Gates(Circuits); Annealing; Silicon dioxide; Wafers; Ammonia; Dilution; Temperature; Time intervals; Thickness; Measurement; Radiation resistance; Ionizing radiation; Reprints;
机译:通过在Ge(100)上对超薄热氧化物进行等离子体氮化形成的氮氧化锗栅极电介质
机译:化学气相沉积和快速热氮化的分层工艺制备的氧氮化铝叠层栅介质的电学特性
机译:用于80 nm先进技术的超薄去耦等离子体氮化(DPN)氮氧化物栅极电介质
机译:二氧化硅热氮化产生的薄氮氧化物栅极电介质的特性
机译:活性氮中硅的热氮化(薄介电体,等离子体处理,超大型材料,氮化硅,氧化硅)
机译:用显微拉曼光谱法与二氧化硅比较研究高κ介电层的拉曼光谱
机译:远程等离子体化学气相沉积氮氧化硅薄膜:介电性能
机译:二氧化硅和硅氮氧化物溶胶/凝胶薄膜的介电性能