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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
召开年:
1997
召开地:
青岛
出版时间:
1997-09
主办单位:
中国电子学会
会议文集:
中国电子学会论文集第十届全国半导体集成电路硅材料学术会论文集(上)
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1.
光电探测器用高寿命低补偿硅单晶电阻率的控制
邓宪章
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
单晶拉制;
2.
大直径高纯多晶硅管的研制
黎展荣
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文简述了高纯多晶硅管的特性,并介绍了φ175mm大直径高纯多晶硅管研制的工艺原理、方法和结果。
单晶炉震动;
3.
红光激发多孔硅PL谱的上转换特性
崔德升
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了PS在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,而且硅片初始电阻率越低,发光强度越大。
半导体材料;
4.
高剂量Si<'+>注入热氧化SiO<,2>薄膜的三个PL峰
石万全
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
5.
Ge<,x>Si<,1-x>超高真空化学气相外延的反应动力学分析
金晓军
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
6.
EEPROM存储单元的研制
余宽豪
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
7.
利用UHV/CVD生长的Si<,1-X>Ge<,X>合金表面偏析研究
黄靖云
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文系统分析了利用UHV/CVD技术外延Si〈,1-X〉Ge〈,X〉合金时Ge的表面偏析现象。
半导体材料;
8.
应变Si<1-X>Ge<,X>层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应
张万荣
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
9.
硅片研磨过程中的厚度自动控制
羊荣兴
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
10.
氢对中子嬗变掺杂单晶硅中空位型缺陷退火行为的影响
孟祥提
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
11.
化学处理和高温快速氧化对多孔硅发光性能的影响
滕达
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
12.
氧在反应蒸发沉积的纳米硅--氧化硅薄膜中的存在形态
张仕国
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
13.
磁控溅射氧化锌薄膜高温特性研究
李剑光
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
14.
UHV/CVD生长的GeSi合金红外本征光谱研究
黄靖云
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
15.
提高CMOS/SOS集成电路用2″蓝宝石单晶结构完整性的研究
张玲
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文分析了影响蓝宝石单晶结构完整性的一些因素,在原设备、工艺条件的基础上,通过热场条件的合理设计及多项工艺条件的改进和创新,拉制出了满足CMOS/SOS集成电路用2″蓝宝石单晶,经实际应用效果较好。
半导体材料;
16.
确定有效少子体产生寿命与表面产生速度的新途径
何燕冬
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文阐述了产生宽度相关的表面产生因素对Zerbst模型的影响,解释了少子产生速率在接近平衡处的非线性现象,并且在现有模型的基础上,应用弛豫谱分析方法得到了有效体产生寿命和表面产生速度。
半导体材料;
17.
F-N热电子诱生Si/SiO<,2>界面陷阱的产生与恢复特性的研究
梁怡
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体集成电路;
18.
采用选通比较技术设计CMOS12bitA/D转换器
刘道勇
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文采用的选通比较技术显著改善了CMOS12bit逐次近似A/D转换器中CMOS比较器的高分辨率和快速响应的矛盾,对A/D内部的CMOS电压型D/A采用译码分段梯形网络设计技术,保证12bitA/D转换器具有较高的初始精度和转换速度。
功能器件;
19.
一种开关电流型的模式识别模糊处理器
林谷
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
晶闸管;
20.
抗辐照CMOS/SOS集成电路用2″SOS衬底片研制
步云英
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体集成电路;
21.
关于NO氮化热生长SiO<,2>膜制备超薄栅介质膜(~5nm)的研究
项雪松
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
22.
一种新型的超高速低功耗ECL电路结构
万天才
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文介绍了一种新型的超高速低功耗ECL电路结构,并采用这种新型电路结构设计制作了时序分配器、可编程定时器等电路,其最高工作频率高于1000MHz以上,在-5.2V电源电压下,功耗电流小于30mA。
模糊处理器;
23.
栅控晶闸管的一种新的关闭栅结构--耗尽型MOS关闭栅
张鹤鸣
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
电流模拟;
24.
SOIMOSFET栅电流的模拟
张文俊
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文介绍一种分析SOIMOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。
组合逻辑;
25.
采用分段梯形结构设计的CMOS12bit电流型D/A转换器
杨忠
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文研究采用译码的分段梯型电阻网络技术制作的高速12bitCMOS电流型D/A转换器,把传统的R-2R电阻网络和译码的权电阻网络相结合,解决了传统CMOSD/A转换器必须采用精密R-2R梯形电阻网络的问题,降低了对电阻精度匹配的要求,样品未修调线性误差〈0.05%,建立时间约400nS。
集成电路设计;
26.
FLOTOX EEPROM的单元的电流-电压模型
于宗光
;
许居衍
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
6该文提出一种FLOTOX EEPROM单元电流-电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用EEPROM单元提供了理论指导。
半导体材料;
27.
SiGe/Si MQW材料的高温退火应变弛豫特性
朱育清
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
28.
SiC的特性与工艺
梁骏吾
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
5232环氧基体;
29.
低温镍硅化物硅直接键合
肖志雄
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文提出了一种利用镍硅化物作为中间层,键合硅片的键合方法,退火温度为440℃拉力试验,扫描电镜试验和超声波测试表明,键合质量较好,键合面积比例很大。
SiC;
30.
衬底温度对nmSi-SiO<,X>薄膜的结构和组分的影响
张仕国
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
-
镍硅化物;
31.
在喷流床中用SiHCl<,3>制取颗粒硅的x射线衍射评估研究
赵炳辉
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
在一内径为80mm喷动流化床反应装置系统中进行了三氯氢硅的氢还原反应实验。
半导体材料;
32.
生长速度和温度对不掺杂N/N<'+>型硅外延层电阻率的影响
傅雄强
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文就生长速度和温度对不掺杂N/N〈’+〉型硅外延层电阻的影响进行探讨。
半导体材料;
33.
氮杂质对新施主的影响
张溪文
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
研究了微氮硅单晶新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要影响。
半导体材料;
34.
UHV/CVD生长GeSi异质外延层的研究
卢焕明
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
35.
区熔硅内、外吸除硅片的研究
陈燕生
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
36.
准分子激光辐照多孔硅的特性研究
吴俊辉
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
37.
SiGe/SiMQW材料的高温退火应变弛豫特性
朱育清
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
38.
SiGe材料的热退火特性
杨沁清
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
39.
双电测方法及其最新进展
鲁效明
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
退火特性;
40.
Si<,1-x>Ge<,x>/Si异质结构材料的应变弛豫机制研究
邹吕凡
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
41.
短沟道MOSFET阈值电压的测量
罗葵
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
42.
采用选通比较技术设计CMOS 12bitA/D转换器
刘道勇
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文采用的选通比较技术显著改善了CMOS12bit逐次近似A/D转换器中CMOS比较器的高分辨率和快速响应的矛盾,对A/D内部的CMOS电压型D/A采用译码分段梯形网络设计技术,保证12bitA/D转换器具有较高的初始精度和转换速度。结果表明:CMOS12bit逐次近似A/D转换器未修调线性误差:0.06℅,转换时间:40μs,功耗:20mW。
功能器件;
VDMOS反射传输电容;
优化设计;
43.
SOI MOSFET栅电流的模拟
张文俊
;
沈文正
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文介绍一种分析SOI MOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起,可准确地模拟SOI MOSFET器件的特性并给出清晰的内部物理图象。该文讨论了热功流子效应产生的栅电流并给出了部分结果。
组合逻辑;
功耗;
相关;
44.
溅射SiGe薄膜的扩散研究
茹国平
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
多孔硅;
45.
在国产TDR62B炉上拉制φ155mm单晶的技术方法
邓良平
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
46.
五氧化二磷在NTDFz-Si退火中的应用
万金平
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
将五氧化二磷应用于NTDFz-Si的退火中,对同种不同情况的样品进行了处理,并对结果进行了分析讨论;同时与HCL+O〈,2〉退火工艺的结果数据进行了对比分析。
半导体材料;
47.
使用国产62型单晶炉研制φ6″硅单晶
尹建华
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
48.
TDR-62单晶炉震动问题研究
李定武
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
液面抖动是由于上轴共振引起,振源是机械泵。
半导体材料;
49.
UHV/CVD生长的弛豫GeSi薄膜
吴惠桢
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
采用X-射线衍射,二次离子质谱和Raman光谱研究了超高真空化学气相淀积生长的Ge组分渐变GeSi合金薄膜的应变与弛豫。
半导体材料;
50.
大直径FZ硅单晶中SW缺陷的消除方法
阮光钰
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
51.
环境气氛以于直拉硅单晶生长过程中的热量传输以及生长过程的影响
陈修治
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
52.
CMOS电流型重心法去模糊电路
马欣
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
存储器;
53.
中子辐照剂量对NTDFZSi电阻率的影响
鞠玉林
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
54.
退火对硅--氧化硅薄膜晶体结构的影响
张伟
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
近几年来,nmSi-SiO〈,X〉(X<2)即富纳米硅--二氧化硅薄膜具有较高的发光效率和稳定的发光性能,使制作发光硅器件成为可能。
半导体材料;
55.
硅的横向固相外延生长技术的研究
罗南林
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
56.
组分渐变缓冲层改善UHV/CVD生长GeSi异质外延层的研究
卢焕明
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
57.
离子注入掺铒硅光致发光及其退火特性
雷红兵
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
利用低温光荧光技术研究了掺铒硅样品的光致发光特性。
半导体材料;
58.
ZnO薄膜结构性能的XPS谱研究
李剑光
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
59.
一种适合BCD兼容技术的集成VDMOS的优化设计
尹贤文
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
文中介绍了一种适合BCD兼容工艺的集成VDMOS器件,其版图布局采用漏、源叉指结构,着重分析了该结构的导通电阻模型及优化设计方法。
A/D转换器;
60.
凹陷沟道SOI器件的实验研究
张兴
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体集成电路;
61.
用MOS结构高频反型电容弛豫特性研究薄SiO<,2>内体陷阱的动态参数
解冰
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
62.
电场对氧化层新生体陷阱产生/俘获截面
卫建林
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
半导体材料;
63.
FLOTOXEEPROM的单元的电流-电压模型
于宗光
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
6该文提出一种FLOTOXEEPROM单元电流-电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用EEPROM单元提供了理论指导。
半导体材料;
64.
1兆位MASKROM的设计
邓泽群
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文介绍了可广泛应用于固化任何计算机程序和数据,具有较大的存储能力的1兆位全静态掩膜可编程只读存储器,其中主要叙述了工作原理、电路特性、电路模拟等方面的问题。
半导体集成电路;
65.
视频8位CMOS折叠--插值A/D转换器设计
朱江
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文提出一种视频8位CMOS工艺折叠--插值A/D转换器,由于采用折叠和插值电路实现信号的并行转换且大大减少了使用比较器的数量,设计还对转换过程中的起泡、非同步等采取了纠编处理,确保了高速和低功耗。
存储器;
66.
TLM法求解热扩散、载流子扩散耦合问题
谢志坤
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文将传输线矩阵(TransmissionLineMatrix,TLM)法运用到扩散问题的求解中,分别讨论了TLM法在热传导方程和载流子输运方程的求解问题,给出了求解方法。
D/A转换器;
67.
一种电流型10位D/A转换器的设计
王若虚
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
该文介绍了一种电流型10位D/A转换器的设计。
电路结构;
68.
VDMOSFET反向传输电容的优化设计
黄平
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
|
1997年
摘要:
分析了VDMOSFET的反向传输电容Crss解析模型,计算结果和实际测试结果非常吻合。
A/D转换器;
69.
凹槽拐角对凹槽栅MOSFET阈值电压的影响研究
孙自敏
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
MOS器件;
70.
考虑相关性的组合逻辑电路功耗分析
朱宁
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
摘要:
该文提出了一种计算组合逻辑电路的功耗的有效方法。
MOSFET;
71.
一个实用的深亚微米MOSFET开启电压模型
张文良
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
集成电路;
72.
MOS器件按比例缩小的途径-低温恒场
陈文松
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
D/A转换器;
73.
1兆位MASK ROM的设计
邓泽群
;
朱玮
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
摘要:
该文介绍了可广泛应用于固化任何计算机程序和数据,具有较大的存储能力的1兆位全静态掩膜可编程只读存储器,其中主要叙述了工作原理、电路特性、电路模拟等方面的问题。
半导体集成电路;
74.
衬底温度对nm Si-SiO<,X>薄膜的结构和组分的影响
张仕国
;
张伟
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
镍硅化物;
半导体材料;
75.
UHV/CVD生长锗硅材料特性
姜小波
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
摘要:
他们用UHV/CVD系统生长了锗硅合金。
衬底;
76.
UHV/CVD系统外延Si<,1-X>Ge<,X>/Si过渡区特性分析
黄靖云
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
摘要:
利用UHV/CVD系统进行了Si〈,1-X〉Ge〈,x〉/Si外延,分别用二次离子质谱仪(SIMS)和SSM-150型扩展电阻仪测量了其过渡层,并用扩散理论进行了分析。
锗硅材料;
77.
Si基C<,X>Si<,1-X>合金的CVD生长研究
江宁
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
半导体材料;
78.
LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见荧光发射
石万全
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
半导体材料;
79.
高真空CVD应变GeSi外延层的Raman谱分析
钱伟
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
半导体材料;
80.
Si中Cu和Fe杂质在位错上的不同沉淀行为
沈波
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
半导体材料;
81.
氮杂质对缀铁硅单晶氧沉淀的影响
张溪文
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》
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1997年
摘要:
研究了掺铁硅单晶的氧沉淀行为,发现氮杂质对其的抑制作用,提出氮以Fe-N络合物形式阻断了氧沉淀的异质核心硅化铁的形成,进而间接抑制氧沉淀的观点。
颗粒硅;
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