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吴惠桢;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:(001)Si上完全弛豫的Ge薄膜的UHV-CVD生长和退火
机译:Si_(1-x)C_x合金外延UHV-CVD生长过程中弛豫行为的研究
机译:用GeH_4和Si_2H_6冷壁UHV / CVD生长SiGe薄膜。
机译:通过UHV-CVD生长的弛豫Si / sub 1-x / Ge / sub x /上的1.1 GHz MSM光电二极管
机译:通过CVD硼薄膜的异位退火生长的超导二硼化镁薄膜中的临界电流密度的研究。
机译:MOCVD生长的ALN薄膜中应力和光学性质的温度依赖性
机译:Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:Uhv-stem研究硅上薄金属硅化物薄膜的成核和生长。进展报告,1990年6月12日 - 1992年12月31日
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:利用UHV-CVD法在SI上形成Si1-X-Yygycy和Si1-Ycy合金层的表观和多晶生长
机译:Si 1-xy Sub> Ge x Sub> C y Sub>和Si 1-y Sub> C 的外延和多晶生长UHV-CVD在Si上形成y Sub>合金层
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