机译:Si_(1-x)C_x合金外延UHV-CVD生长过程中弛豫行为的研究
Fraunhofer Center Nanoelectronk Technologies, Koenigsbruecker Strasse 180, D-01099 Dresden, Germany;
AMD Saxony LLC & Co. KC, Wilschdorfer Landstrasse 101, D-01109 Dresden. Germany;
Fraunhofer Center Nanoelectronk Technologies, Koenigsbruecker Strasse 180, D-01099 Dresden, Germany;
Semiconductor and Microsystems Technology Laboratory, Dresden Technical University, Noethnitzer Strasse 64, D-01062 Dresden, Germany;
Fraunhofer Center Nanoelectronk Technologies, Koenigsbruecker Strasse 180, D-01099 Dresden, Germany;
silicon carbon; strain engineering; UHV-CVD; epitaxy; CMOS;
机译:UHV-CVD下原位P掺杂外延Si_(1-x)C_x的生长
机译:干氧化过程中硅衬底上外延Si_(1-x)C_x薄膜的应变行为
机译:稀Si_(1-x)C_x中合金散射势的第一性原理研究
机译:Si_(1-x)C_x外延层上形成的ErSi_(2-y)触点的特性
机译:低温掺杂和未掺杂外延硅以及硅(1-x)锗(x)的生长。
机译:低缺陷高Sn合金生长的GeSn应变弛豫和自发组成梯度研究
机译:中国应变松弛机制与局部结构变化 si_ {1-x} $ Ge_ {x}合金