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机译:UHV-CVD下原位P掺杂外延Si_(1-x)C_x的生长
Si_(1-x)C_x; Selective Epitaxial Growth; In-Situ Phosphorus Doping;
机译:UHV-CVD下原位P掺杂外延Si_(1-x)C_x的生长
机译:热退火对原位掺磷Si_(1-x)C_x薄膜中碳的影响
机译:干氧化过程中硅衬底上外延Si_(1-x)C_x薄膜的应变行为
机译:(邀请)原位协同掺杂在CVD Si_(1-x)Ge_x基于Langmuir型机制的外延生长
机译:低温掺杂和未掺杂外延硅以及硅(1-x)锗(x)的生长。
机译:分子束外延法原位外延生长石墨烯/ h-BN范德华异质结构
机译:通过常压 - 化学气相沉积在Ge上进行未掺杂和原位B掺杂的Gesn外延生长
机译:al(x)Ga(1-x)sb和al(x)Ga(1-x)as(y)sb(1-y)的有机金属气相外延生长