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厦门大学学位论文著作权使用声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景和意义
1.2 Si基Ge外延生长的研究进展与存在的问题
1.3 Si基Ge材料的器件应用与存在的问题
1.4 本论文主要工作和结构安排
参考文献
第二章 Si基Ge材料的外延生长
2.1 材料生长系统及表征方法
2.2 高质量Si基Ge材料的制备
2.2.1 低温Ge缓冲层设计思想
2.2.2 低温相干Ge岛缓冲层的优化
2.2.3 SiGe/Ge超晶格插层改善Si基Ge材料质量
2.3 本章小结
参考文献
第三章 Si基Ge材料的原位掺杂
3.1 Si基Ge原位掺杂硼(B)和磷(P)的理论模型
3.2 Si基Ge材料中硼(B)和磷(P)的原位掺杂
3.2.1 630℃时Si基Ge材料中硼(B)和磷(P)的原位掺杂
3.2.2 500℃时Si基Ge材料中磷(P)的原位掺杂
3.3 退火对原位P掺杂Ge材料的影响
3.4 本章小结
参考文献
第四章 Ni与Si基n-Ge接触的热稳定性与电学特性
4.1 Ni/n-Ge接触的热稳定性
4.1.1 Ni/n-Ge样品的制备
4.1.2 结果和讨论
4.2 Ni/n-Ge接触的电学特性
4.2.1 比接触电阻的定义及其测量
4.2.2 Ni/n-Ge的比接触电阻测量及分析
4.3 本章小结
参考文献
第五章 Si基Ge刚结和SOI基PIN结构
5.1 Si基原位掺杂Ge PN结的制作
5.2 Si基Ge PN结的I-V特性和C-V特性
5.3 SOI基Ge PIN结构的研制与电致发光谱
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结与展望
附录 博士期间科研成果
致谢