University of Houston.;
机译:CVD生长的B膜在Mg蒸气中的异位退火制得的MgB2膜中临界电流密度的厚度依赖性
机译:通过脉冲激光沉积和原位退火生长的T-c约为24 K的超导二硼化镁薄膜
机译:增强磁场依赖性临界电流密度MWCNT掺杂镁二硼化物超导体
机译:CVD法制备多层二硼化镁超导薄膜及其特性
机译:晶体各向异性,掺杂,孔隙率和连接性对超导二硼化镁块,线和薄膜的临界电流密度的影响。
机译:PECVD对低温生长的掺硼氢化晶体硅的退火
机译:原位退火脉冲激光沉积生长T c≈24K的超导二硼化镁薄膜
机译:原位生长的YBaCuO超导薄膜中阳离子紊乱的证据。