The Ohio State University.;
机译:在不同工作温度下掺有马来酸掺杂的二硼化镁线的临界电流密度性能
机译:增强磁场依赖性临界电流密度MWCNT掺杂镁二硼化物超导体
机译:SiC掺杂对Ti包覆MgB2(SiC)(γ)超导线中临界电流密度的负面影响
机译:Si和C在影响二硼化镁超导体临界性能中的作用
机译:通过CVD硼薄膜的异位退火生长的超导二硼化镁薄膜中的临界电流密度的研究。
机译:与重费米子超导体相比掺杂高Tc铜的空穴的临界电流密度揭示了可能的量子临界行为
机译:化学掺杂,高上临界场二硼化镁超导线的制备