机译:Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:在Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:膜厚和退火温度对通过原子层沉积法生长的Si(100)衬底上ZnO薄膜的结构和光学性质的影响
机译:通过插入在低温下生长的薄GaSb中间层插入在AlSb / Si(100)上生长的GaSb膜的结构和光学性质
机译:通过分子束外延在GaAs(100)基板上生长在GaAs(100)基板上的Al0.1,薄膜夹层的inas0.1sb0.9薄膜的运输性能
机译:分子束外延在硅上生长的锗薄膜的形态演化与光学性质
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:Si和Ge(100)衬底上通过低温RF-PECVD外延生长的弛豫薄膜锗层的结构特性
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响