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邹吕凡;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:超高真空化学气相沉积法在弛豫Si_(1-x)Ge_x上生长应变Si和Ge异质结构
机译:Si〜+离子注入引起的伪晶Si_(1-x)Ge_x / Si(100)异质结构的应变弛豫
机译:在两步过程中通过低温分子束外延生长的Ge_(x)Si_(1-x)/ Si(001)异质结构增强了应变弛豫
机译:高Si组成的应变弛豫Ge_(1-x-y)Si_xSn_y / Ge_(1-x)Sn_x / Ge_(1-xy)Si_xSn_y形成双异质结构并评估光电性能
机译:Si / SiGe异质结构的应变工程纳米膜底物
机译:界面电荷转移和有效终止可见光辐射下(ZnO)(1-x)/ 2(Bi2O3)x(Dy2O3)(1-x)/ 2异质结构纳米复合材料的电子复合过程
机译:提取大的价带能量偏移并与弛豫siGe衬底上的应变si /应变Ge-II异质结构的理论值比较
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:具有平面和非平面结构的绝缘体上应变Si和弛豫Si或应变SiGe FET的协整方法
机译:具有缺陷稀土氧化物夹层的浸渍式退火缓冲/应变缓和缓冲层上的低缺陷弛豫SiGe /应变Si结构及其制造方法
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