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垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si

1. 垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104992942B . 2018.03.16
2. 一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法 [P] . 中国专利： CN108649067B . 2020.12.01
3. HIGH-VOLTAGE TERAHERTZ STRAINED SIGE/INGAP HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND PREPARATION METHOD THEREOF [P] . US2021151587A1 . 2021-05-20

机译：高压太赫兹应变SiGe / InGaP异质结双极晶体管及其制备方法
4. High-voltage terahertz strained SiGe/InGaP heterojunction bipolar transistor and preparation method thereof [P] . US11195940B2 . 2021-12-07

机译：高压太赫兹应变SiGe / Ingap异质结双极晶体管及其制备方法
5. Vertical bipolar transistor, in particular with an SiGe heterojunction base, and fabrication process [P] . 美国专利： US6384469B1 . 2002-05-07

机译：垂直双极晶体管，特别是具有SiGe异质结基极的垂直双极晶体管及其制造工艺