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邹吕凡; 王占国; 孙殿照; 张靖巍; 李建平; 孔梅影; 林兰英;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
GSMBE; 异质结材料; 外延生长; X射线双晶衍射;
机译:双晶X射线衍射和显微拉曼测量在成分确定在硅衬底上高Ge含量的Si_(1-x)Ge_x层的比较中的比较
机译:Si_(1-x)Ge_x / Si层的表征及其异质双极晶体管结构的深度轮廓通过高分辨率x射线衍射法和计算机模拟
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:Si / Si_(1-x)Ge_x应变异质结中电流模式噪声的蒙特卡罗比较研究
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:Si(111)衬底上GaN纳米线中应变分布的高分辨率X射线衍射分析
机译:通过分子束外延对在(100)Si上生长的Si_(1-x)Ge_x合金进行(2X8)表面重构的观察
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:薄膜晶体生长法制造自对准均质,异质结双晶晶体管的方法
机译:通过热应变同质结超晶格缓冲层的生长实现异质外延
机译:使用低温晶圆键合制造具有Si(Ge)到III-N材料异质结的晶体管的方法
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