机译:Si_(1-x)Ge_x / Si层的表征及其异质双极晶体管结构的深度轮廓通过高分辨率x射线衍射法和计算机模拟
Materials Characterization Division, National Physical Laboratory, Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi-110012, India;
机译:使用X射线反射率和荧光技术表征Si_(1-x)Ge_x外延层中的纳米结构
机译:使用俄歇电子能谱和斜角结构的扩展电阻曲线表征应变硅量子阱和Si_(1-x)Ge_x异质结构
机译:高分辨X射线衍射在Si基体中Si_(1-x)Ge_x超薄量子阱的结构表征
机译:SI_(1-x)GE_x和受约束的SI / SI_(1-x)GE_x中B和AS植入的SIMS深度分析
机译:通过X射线干涉法/全息术在锗/硅多层基板上的超薄有机膜的轮廓结构。
机译:使用偏向分子动力学模拟将高分辨率X射线结构灵活地拟合到低温电子显微镜图中
机译:通过分子束外延对在(100)Si上生长的Si_(1-x)Ge_x合金进行(2X8)表面重构的观察
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型