公开/公告号CN204441290U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-07-01
原文格式PDF
申请/专利权人 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201520005583.7
申请日2015-01-06
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/778(20060101);
代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;
代理人尹振启
地址 101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院
入库时间 2022-08-22 00:40:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-14
专利权的保全 IPC(主分类):H01L29/06 授权公告日:20150701 登记生效日:20180814 申请日:20150106
专利权的保全及其解除
2015-07-01
授权
授权
机译: 功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成,该异质结构由氮化镓制成的沟道层,覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成
机译: 发光器件包括具有异质结的倒置的铝铟镓氮化物布置以及电极,该异质结具有在n导电层和p导电层之间布置的发射层。
机译: 制备固溶体(SiC)