机译:超薄AlN势垒在GaN基双异质结高电子迁移率晶体管的热电子降低和自热效应中的作用
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;
机译:超薄AIN势垒在GaN基双异质结高电子迁移率晶体管的热电子减少和自热效应中的作用
机译:包含热电子和量子效应的GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的自热模拟
机译:高通态电流的基于AlN / GaN的双异质结鳍型高电子迁移率晶体管的设计优化
机译:ALN间隔层和GaN背面对AlGaN / ALN / INGAN / GAN高电子迁移率晶体管的光电性质的作用
机译:辐照损伤对GaN基金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和β-GA2O3的影响
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:通过考虑自加热效应,GaN基金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管DC特性分析