机译:通过等离子体增强原子层沉积GaN基高电子迁移率晶体管的ALN表面钝化
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:100 nm In_(0.4)AlAs / In_(0.35)GaAs变质高电子迁移率晶体管与氮化硅层的远程等离子体增强化学气相沉积钝化效应
机译:原子层沉积Al2O3钝化增强GaN高电子迁移率晶体管的性能
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响