University of California, Los Angeles.;
机译:100 nm In_(0.4)AlAs / In_(0.35)GaAs变质高电子迁移率晶体管与氮化硅层的远程等离子体增强化学气相沉积钝化效应
机译:使用远程模式等离子体增强化学气相沉积法对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管进行SiN_x预钝化
机译:通过等离子体增强化学气相沉积双层富硅氧氮化硅和氮化硅的表面钝化结晶硅
机译:通过表面波等离子体进行氮化硅膜的化学气相沉积,用于AlGaN / GaN装置的表面钝化
机译:氮化铝和氮化硅的低温热化学气相沉积和催化化学气相沉积
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:通过表面波等离子体进行氮化硅膜的化学气相沉积,用于AlGaN / GaN装置的表面钝化