一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚介质凹槽结构的制备；（3）挖槽；（4）光刻栅帽；（5）肖特基接触的形成。本发明的优点：1、通过BCl₃气体进行挖槽工艺，由于BCl₃对不同Al含量AlGaN的反应速率存在差异，故可实现挖槽自停止。2、通过栅金属制备形成肖特基势垒，制得增强型AlGaN/GaN器件。3、可兼容目前的耗尽型GaN器件，制备工艺简单，在同一圆片内可实现增强型/耗尽型器件的单片集成。4、工艺窗口大，挖槽深度及器件开启电压可控性好。