在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法

摘要

提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。按照本发明的实施例的这个器件包括：一个氮化镓(GaN)沟道层和在沟道层上的一个氮化铝镓(AlGaN)的势垒层。在势垒层(16)上提供第一欧姆接触区，用于形成源电极(18)；在势垒层(16)上还提供与源电极(18)隔开的第二欧姆接触区，用于提供漏电极(20)。在势垒层(16)上并在源电极(18)和漏电极(20)之间提供一个基于GaN的盖帽区段(30)。基于GaN的盖帽区段(30)具有靠近源电极(18)并与源电极(18)隔开的第一侧壁(31)和靠近漏电极(20)并与漏电极(20)隔开的第二侧壁(32)。在基于GaN的盖帽区段(30)上提供非欧姆接触区，用于形成栅接触区(22)。栅接触区(22)具有第一侧壁(27)，它与基于GaN的盖帽区段(30)的第一侧壁(31)大体上对齐。栅接触区(22)在基于GaN的盖帽区段(30)的第一侧壁(31)和第二侧壁(32)之间的一部分距离上延伸。