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Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源

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摘要

一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

著录项

公开/公告号CN100341115C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-03

原文格式PDF
申请/专利权人昭和电工株式会社;
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申请/专利号CN01802460.2
发明设计人浦岛泰人;奥山峰夫;桜井哲朗;三木久幸;
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申请日2001-08-17
分类号H01L21/205(20060101);H01L33/00(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;杨晓光
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 08:59:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-02-27

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 变更前: 变更后: 登记生效日:20130123 申请日:20010817

专利申请权、专利权的转移
2007-10-03

授权

授权
2005-07-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-05-18

公开

公开

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1. Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源 [P] . 中国专利： CN100341115C . 2007.10.03
2. 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯 [P] . 中国专利： CN101405879B . 2010.10.13
3. Light source using the semiconductor light-emitting device manufacturing method of a group III nitride semiconductor crystal manufacturing method of a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride based compound semiconductor, and the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device [P] . 日本专利： JP2004507106A . 2004-03-04

机译：使用基于氮化镓类化合物半导体的III族氮化物半导体晶体的制造方法，氮化镓类化合物半导体和氮化镓类化合物半导体发光器件的半导体发光器件的制造方法的光源
4. The method for producing a group - iii - nitride - half conductor crystal, process for the production of a compound semiconductor based on gallium nitride, a compound semiconductor based on gallium nitride, a light emitting device consists of a compound semiconductor based on gallium nitride and a light source, which is used, the light-emitting semiconductor device [P] . 德国专利： DE10196361T5 . 2005-05-25

机译： -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法，基于氮化镓的化合物半导体的制备方法，基于氮化镓的化合物半导体，发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源，发光半导体器件
5. Method of fabricating group-III nitride semiconductor crystal, metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light [P] . AU8009701A . 2002-03-04

机译：制备III族氮化物半导体晶体的方法，制备氮化镓基化合物半导体的方法，氮化镓基化合物半导体，氮化镓基化合物半导体发光器件以及使用该半导体光的光源