Semiconductor devices; Patent applications; Fabrication; Substrates; Methods; Layers; Trenches; Tops; Floors; Sidewalls; Non-gallium nitride posts; Gallium nitride semiconductor structures;
机译:制造氮化镓-金刚石基半导体晶片的表面技术
机译:基于拉曼散射的探测半导体载流子漂移速度的方法:在氮化镓中的应用
机译:块状和异质结构氮化镓家族半导体的欧姆接触形成
机译:磁控溅射制备(Er〜(3+)+ Yb〜(3+))掺杂氮化镓层的光致发光研究
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:基于氮化镓的金属-半导体-金属紫外光电探测器,通过低温原子层沉积法生长
机译:氮化硅钝化层变化对电子辐照氮化铝镓/氮化镓HEmT结构的影响