氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯

摘要

本发明提供一种可得到光取出效率优异、且可在低的驱动电压下工作的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。所述氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括：第一结晶生长工序，在基板(11)上顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层(13)、发光层(14)和第一p型半导体层(15)；第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成的第二p型半导体层(16)，在所述第一结晶生长工序与第二结晶生长工序之间具备在所述第一p型半导体层(15)表面形成凹凸的凹凸形成工序、和在该凹凸形成工序之后进行热处理的热处理工序。