机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
Cambridge University, UK;
机译:新的屏障层设计用于制造氮化镓 - 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管常关晶体管
机译:通过氮化镓金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的电测量获得冲击电离感应孔电流
机译:导通态偏压下氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的应变演化
机译:使用环氧树脂介导的基板转移技术在玻璃上的氮化镓晶体管
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制备与表征