机译:通过氮化镓金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的电测量获得冲击电离感应孔电流
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
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Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Mat &
Optoelect Sci Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Mat &
Optoelect Sci Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Natl Sun Yat Sen Univ Dept Phys Kaohsiung 80424 Taiwan;
Republ China Mil Acad Dept Phys Kaohsiung 83059 Taiwan;
MIS-HEMT; GaN; hot-carrier stress; impact ionization; hole current;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)/硼镓氮化物(Bangan)高电子迁移率晶体管(HEMT):从常关到常关晶体管
机译:导通态偏压下氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的应变演化
机译:基于多指高功率氮化镓的高电子迁移率晶体管
机译:研究氮化镓,氮化铝镓和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管中的电活性缺陷
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:E模式镓氮化物高电子迁移率晶体管对空肠无线电力传输系统波形失真对P型栅极的影响
机译:氮化铝镓/氮化镓高电迁移率晶体管的二维建模