机译:E模式镓氮化物高电子迁移率晶体管对空肠无线电力传输系统波形失真对P型栅极的影响
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机译:无线电力传输系统波形失真的机制,由非藻氮化镓晶体管特性引起
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:用于下一代功率电子设计的氮化镓栅极注入晶体管的精确紧凑模型
机译:镍栅氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管可靠性的化学处理研究。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的二维建模
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。