Sodium beta-alumina thin films as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2012年第12期|335-339|共5页
• 作者

  Tian Ben-Lang; Chen Chao; Li Yan-Rong; Zhang Wan-Li; Liu Xing-Zhao;

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• 作者单位

  The State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electron Science and Technology of China Chengdu 610054 China;

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