封面
声明
中文摘要
英文摘要
插图索引
表格索引
符号对照表
缩略语对照表
目录
第一章 绪论
1.1 GaN基HEMT的主要特点
1.2 常规GaN材料与器件的研究历程
1.3AlN/GaN数字合金势垒类AlGaN/GaN HEMT研究进展
1.4 本文主要研究工作
第二章 异质结构原理及表征方法
2.1 AlGaN/GaN异质结构理论基础
2.2 GaN材料的制备
2.3 材料表征与测试方法
2.4 本章小结
第三章 数字合金势垒类AlGaN/GaN异质结生长
3.1 AlN/GaN数字合金势垒类AlGaN/GaN HEMT的制备
3.2 不同金属源流量数字合金势垒异质结构生长研究
3.3 插入层和帽层对数字合金势垒异质结构材料特性的影响
3.4 本章小结
第四章 温度对数字合金势垒异质结构外延生长的影响
4.1 不同温度下数字合金势垒异质结构生长
4.2 AlN/GaN数字合金势垒异质结与常规AlGaN/GaN异质结比较
4.3 本章小结
第五章 结论和展望
5.1 研究结论
5.2 研究展望
参考文献
致谢
作者简介
西安电子科技大学;