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陈国强; 陈敦军; 刘斌; 谢自力; 韩平; 张荣; 郑有炓;
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室;
南京工程学院基础部;
AlGaN/GaN异质结,钝化介质,表面态,二维电子气;
机译:分子束外延生长的AlN钝化层对AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的影响
机译:具有SiN / AlN叠层结构的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的表面钝化。
机译:InAlN / GaN和InAlN / AlGaN / GaN异质结FET的电学特性对AlN层间厚度的依赖性
机译:表面钝化机制钝化AlGaN / ALN / GAN异质结
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:无掺杂GaN / alN / alGaN径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管。
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
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