机译:GaN / AlGaN /溅射ALN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:在具有高纵横比的溅射蓝宝石成核蓝宝石衬底上制备的GaN基发光二极管中,效率与晶体结构之间的空间相关性
机译:具有溅射AlN成核层的GaN基发光二极管
机译:通过使用重掺杂Si的GaN生长模式过渡层实现高性能375 nm紫外InGaN / AlGaN发光二极管
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高