机译:在具有高纵横比的溅射蓝宝石成核蓝宝石衬底上制备的GaN基发光二极管中,效率与晶体结构之间的空间相关性
Institute of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan|c|;
AlN; GaN; light-emitting diodes (LEDs); nucleation; patterned sapphire substrate (PSS); physical vapor deposition (PVD); physical vapor deposition (PVD).;
机译:在图案化的蓝宝石衬底上制备具有HT-AlN成核层的GaN基LED
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:GaN / AlGaN /溅射ALN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:使用高温生长单晶ALN缓冲层在蓝宝石基板上制造的GaN的蓝紫光激光二极管室温运行
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高