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Gallium nitride materials and devices VII
Gallium nitride materials and devices VII
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1.
Recombination and diffusion processes in polar and nonpolar bulk GaN investigated by time-resolved photoluminescence and nonlinear optical techniques
机译:
通过时间分辨光致发光和非线性光学技术研究极性和非极性块状GaN中的重组和扩散过程
作者:
Kestutis Jarasiunas
;
Patrik Scajev
;
Saulius Nargelas
;
Ramunas Aleksiejunas
;
Jacob Leach
;
Tania Paskova
;
Serdal Okur
;
UEmit OEzguer
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
gallium nitride;
two-photon carrier generation;
diffusion;
recombination;
free carrier absorption;
photoluminescence;
transient gratings;
2.
Influence of nanowire template morphology on the coalescence overgrowth of GaN nanowires on Si by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延法研究纳米线模板的形貌对氮化硅纳米线在硅上聚结过度生长的影响
作者:
Pinar Dogan
;
Oliver Brandt
;
Christian Hauswald
;
Raffaella Calarco
;
Achim Trampert
;
Lutz Geelhaar
;
Henning Riechert
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
GaN nanowires;
coalescence;
silicon;
molecular beam epitaxy;
3.
Lasing action in gallium nitride photonic quasicrystal nanorod arrays
机译:
氮化镓光子准晶体纳米棒阵列中的激光作用
作者:
Shih-Pang Chang
;
Kuok-Pan Sou
;
Jet-Rung Chang
;
Yuh-Jen Cheng
;
Yuh-Jing Li
;
Yi-ChenChen
;
Hao-Chung Kuo
;
Ken-Yuh Hsu
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
4.
High efficiency InGaN solar cell with a graded p-InGaN top layer
机译:
具有渐变p-InGaN顶层的高效InGaN太阳能电池
作者:
Nobuhiko Sawaki
;
Tomoki Fujisawa
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
GaN;
solar cell;
drift effect;
graded layer;
5.
Temperature Dependent Behavior of the SPV for n-type GaN
机译:
SPV对n型GaN的温度依赖性行为
作者:
J. D. McNamara
;
M. Foussekis
;
H. Liu
;
H. Morkoc
;
M. A. Reshchikov
;
A. A. Baski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
surface photovoltage;
kelvin probe;
GaN;
band bending;
6.
Analysis of the deep level responsible for the degradation of InGaN-based laser diodes by DLTS
机译:
DLTS对造成InGaN基激光二极管退化的深层进行分析
作者:
M. Meneghini
;
C. de Santi
;
N. Trivellin
;
K. Orita
;
S. Takigawa
;
T. Tanaka
;
D. Ueda
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
InGaN;
laser diode;
degradation;
defect;
DLTS;
7.
Highly doped GaN: a material for plasmonic claddings for blue/green InGaN laser diodes
机译:
高掺杂GaN:一种用于蓝/绿InGaN激光二极管的等离子熔覆材料
作者:
Piotr Perlin
;
Tomasz Czyszanowski
;
Lucja Marona
;
Szymon Grzanka
;
Anna Kafar
;
Szymon Stanczyk
;
Tadek Suski
;
Mike Leszczynski
;
Michal Bockowski
;
Grzegorz Muziol
;
Maciej Kuc
;
Robert Sarzala
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
laser diodes;
GaN;
optical waveguides;
refractive index;
8.
Estimation of the recombination coefficients in aged InGaN laser diodes
机译:
老化的InGaN激光二极管中复合系数的估算
作者:
Lucja Marona
;
Szymon Grzanka
;
Robert Czernecki
;
Jakub Goss
;
Michal Bockowski
;
Piotr Perlin
;
Piotr Kruszewski
;
Mariusz Pluska
;
Andrzej Czerwinski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
InGaN;
laser diodes;
reliability;
degradation;
gallium nitride;
recombination;
rate equation;
9.
Polarization of eigenmodes and the effect on the anisotropic gain in laser structures on nonpolar and semipolar GaN
机译:
非极性和半极性GaN上本征模的极化及其对激光结构各向异性增益的影响
作者:
Jens Rass
;
Tim Wernicke
;
Simon Ploch
;
Moritz Brendel
;
Andreas Kruse
;
Andreas Hangleiter
;
Wolfgang Scheibenzuber
;
Ulrich T. Schwarz
;
Markus Weyers
;
Michael Kneissl
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
laser;
semipolar;
gain;
anisotropy;
polarization;
eigenmodes;
10.
Reduction of efficiency droop in InGaN-Based UV Light-Emitting Diodes with InAlGaN Barrier
机译:
利用InAlGaN势垒降低基于InGaN的UV发光二极管的效率下降
作者:
Ching-Hsueh Chiu
;
Po-Min Tu
;
Jet-Rung Chang
;
Wei-Ting Chang
;
Hao-Chung Kuo
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
UV LEDs;
efficiency droop;
11.
III-nitride intersubband photonics
机译:
III族氮化物子带间光子学
作者:
Salam Sakr
;
Maria Tchernycheva
;
Juliette Mangeney
;
Elias Warde
;
Nathalie Isac
;
Lorenzo Rigutti
;
Raffaele Colombelli
;
Anatole Lupu
;
Laurent Vivien
;
Francois H. Julien
;
Alon Vardi
;
Schmuel E. Schacham
;
Gad Bahir
;
Yulia Kotsar
;
Eva Monroy
;
Etienne Giraud
;
Denis Martin
;
Nicol
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
III-nitride semiconductors;
intersubband transitions;
optoelectronic devices;
quantum cascade detectors;
quantum wells;
12.
Impact of carrier localization, recombination, and diffusivity on excited state dynamics in InGaN/GaN quantum wells
机译:
载流子定位,复合和扩散率对InGaN / GaN量子阱中激发态动力学的影响
作者:
T. Malinauskas
;
A. Kadys
;
T. Grinys
;
S. Nargelas
;
R. Aleksiejunas
;
S. Miasojedovas
;
J. Mickevicius
;
R. Tomasiunas
;
K. Jarasiunas
;
M. Vengris
;
S. Okur
;
V. Avrutin
;
X. Li
;
F. Zhang
;
UE. OEzguer
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
InGaN;
recombination;
carrier localization;
efficiency droop;
13.
Measurement of off-state electrical stress in InAlN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with varying In compositions
机译:
In组成变化的InAlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中的断态电应力的测量
作者:
Romualdo A. Ferreyra
;
Cemil Kayis
;
Congvong Zhu
;
UEmit OEzguer
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
GaN;
heterostructure field-effect transistors;
InAlN barriers;
off-state stress;
reliability;
14.
AlGaN/GaN based field effect transistors for terahertz detection and imaging
机译:
用于太赫兹检测和成像的基于AlGaN / GaN的场效应晶体管
作者:
M. Sakowicz
;
M. B. Lifshits
;
O. A. Klimenko
;
D. Coquillat
;
N. Dyakonova
;
F. Teppe
;
C. Gaquiere
;
M. A. Poisson
;
S. Delage
;
W. Knap
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
terahertz;
detector;
MISFET;
imaging;
field plate;
15.
Degradation analysis of In AlN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors using low-frequency noise and current-transient methods: Hot-phonon effects
机译:
使用低频噪声和电流瞬变方法对In AlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管进行降解分析:热声子效应
作者:
Cemil Kayis
;
R. A. Ferreyra
;
Congyong Zhu
;
Mo Wu
;
X. L i
;
UE. OEzguer
;
A. Matulionis
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
low-frequency noise;
GaN HFET;
electrical stress;
degradation;
hot phonons;
16.
High performance 375 nm ultraviolet InGaN/AlGaN light-emitting diodes by using a heavily Si-doped GaN growth mode transition layer
机译:
通过使用重掺杂Si的GaN生长模式过渡层实现高性能375 nm紫外InGaN / AlGaN发光二极管
作者:
Shih-Cheng Huang
;
Po-Min Tu
;
Shun-Kuei Yang
;
Ya-wen Lin
;
Chih-Peng Hsu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
metalorganic chemical vapor deposition;
light emitting diodes;
defects;
17.
Effect of MOCVD growth conditions on the optical properties of semipolar (1101)GaN on Si patterned substrates
机译:
MOCVD生长条件对Si图案化衬底上半极性(1101)GaN光学性能的影响
作者:
N. Izyumskaya
;
S.J. Liu
;
V. Avrutin
;
S. Okur
;
F. Zhang
;
UE. OEzguer
;
S. Metzner
;
C. Karbaum
;
F.Bertram
;
J. Christen
;
D.J. Smith
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
semipolar GaN;
nitride;
MOCVD;
si;
time-resolved photoluminescence;
18.
Degradation mechanisms of InAlN/GaN based HFETs under high electric field stress
机译:
InAlN / GaN基HFET在高电场应力下的降解机理
作者:
Congyong Zhu
;
Mo Wu
;
Cemil Kayis
;
Fan Zhang
;
Xing Li
;
Romualdo Ferreyra
;
Vitaliy Avrutin
;
UEmit OEzguer
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
19.
A local vibration mode in a carbon doped (1-101)AlGaN
机译:
碳掺杂(1-101)AlGaN中的局部振动模式
作者:
N.Sawaki
;
K.Hagiwara
;
K.Yamashita
;
N.Koide
;
Y.Honda
;
M.Yamaguchi
;
H.Amano
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
GaN;
FTIR;
MOVPE;
semipolar face;
selective eitaxy;
carbon doping;
si substrate;
20.
Improved performance of 375 nm InGaN/AlGaN light-emitting diodes by incorporating a heavily Si-doped transition layer
机译:
通过掺入重掺杂Si的过渡层,提高了375 nm InGaN / AlGaN发光二极管的性能
作者:
Shih-Cheng Huang
;
Kun-Ching Shen
;
Po-Min Tu
;
Dong-Sing Wuu
;
Hao-Chung Kuo
;
Ray-Hua Horng
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
light emitting diodes;
si-doping;
21.
High-Voltage Thin GaN LEDs Array
机译:
高压薄型GaN LED阵列
作者:
Ray-Hua Horng
;
Jia-Hua Lin
;
Dong-Sing Wuu
;
Re-Ching Lin
;
Kun-Ching Shen
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
high voltage;
thin GaN;
LED;
22.
AlGaN polarization doping effects on the efficiency of blue LEDs
机译:
AlGaN极化掺杂对蓝光LED效率的影响
作者:
Joachim Piprek
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
gallium nitride;
AlGaN;
p-doping;
compositional grading;
polarization charges;
light-emitting diode;
efficiency;
electron leakage;
hole injection;
auger recombination;
numerical simulation;
23.
Auger effect in nonpolar quantum wells
机译:
非极性量子阱中的俄歇效应
作者:
Lukas Schade
;
Ulrich.T. Schwaxz
;
Tim Wernicke
;
Jens Rass
;
Simon Ploch
;
Markus Weyers
;
Michael Kneissl
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
nonpolar;
polarization;
droop;
auger;
24.
Mg-hydrogen interaction in AlGaN alloys
机译:
AlGaN合金中的Mg氢相互作用
作者:
M.E. Zvanut
;
Ustun R. Sunay
;
J. Dashdorj
;
W. R. Willoughby
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
nitride semiconductors;
mg dopant;
hydrogen;
magnetic resonance;
25.
Scaling of GaN single nanowire MOSFET with cut-off frequency 150GHz
机译:
截止频率为150GHz的GaN单纳米线MOSFET的缩放
作者:
Jeng-Wei Yu
;
Yuh-Renn Wu
;
Lung-Han Peng
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
nanowire;
MOSFET;
GaN;
Ga_2O_3;
polarization;
26.
Hardened Planar Nitride Based Cold Cathode Electron Emitter
机译:
硬化的基于平面氮化物的冷阴极电子发射极
作者:
R. Pillai
;
D. Starikov
;
C. Boney
;
A. Bensaoula
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
cold cathode;
AlN;
field emission;
III-nitrides;
negative electron affinity;
molecular beam epitaxy;
27.
Electronic and thermal tuning of violet GaN coupled cavity laser
机译:
紫光GaN耦合腔激光器的电子和热调谐
作者:
O.Guziy
;
S. Grzanka
;
M. Leszczynski
;
P. Perlin
;
H.W.M. Salemink
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
GaN laser;
thermal tuning;
electronic tuning;
integrated;
coupled cavity;
vernier effect;
28.
Concentrating properties of nitride-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices
机译:
使用GaInN / GaInN超晶格的氮化物基太阳能电池的聚集特性
作者:
M. Mori
;
S. Yamamoto
;
Y. Kuwahara
;
T. Fujii
;
T. Sugiyama
;
M. Iwaya
;
T. Takeuchi
;
S. Kamiyama
;
I. Akasaki
;
H. Amano
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
solar cell;
concentrating properties;
nitride;
galnn;
conversion efficiencies;
open-circuit voltage;
fill factor;
29.
Modeling gallium-nitride-based violet lasers for data storage of information technology
机译:
建模基于氮化镓的紫激光,用于信息技术的数据存储
作者:
Meng-Mu Shih
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
distributed feedback;
first-order;
semiconductor;
laser;
waveguide;
violet;
gallium nitride;
30.
Effect of ridge waveguide etch depth on laser threshold of InGaN MQW laser diodes
机译:
脊形波导蚀刻深度对InGaN MQW激光二极管激光阈值的影响
作者:
L. Redaelli
;
M. Martens
;
J. Piprek
;
H. Wenzel
;
C. Netzel
;
A Linke
;
Y. V. Flores
;
S. Einfeldt
;
M.Kneissl
;
G. Traenkle
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
InGaN laser diodes;
threshold current density;
ridge width;
ridge depth;
far field pattern;
current spreading;
index anti-guiding;
31.
Carbidonitride- and Oxycarbidonitride-Based Phosphors for LED Lighting Devices
机译:
用于汽车照明的基于碳氮化物和氧碳氮化物的荧光粉
作者:
Yuanqiang Li
;
Michael Romanelli
;
Yongchi Tian
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
carbidonitride;
oxycarbidonitride;
luminescence;
phosphor;
phosphor-converted LED;
white light LED;
lighting;
32.
Impact of indium surface segregation on optical properties of ultrathin InGaN/GaN quantum wells
机译:
铟表面偏析对超薄InGaN / GaN量子阱光学特性的影响
作者:
Mykhaylo V. Klymenko
;
Igor A. Sukhoivanov
;
Oleksiy V. Shulika
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
InGaN/GaN;
indium surface segregation;
absorption;
33.
Second Harmonic Generation in GaN-based photonic crystals for single molecule investigations
机译:
GaN基光子晶体中的第二次谐波产生,用于单分子研究
作者:
Dominique Coquillat
;
Jeremie Torres
;
Marine Le Vassor dYerville
;
David Cassagne
;
Frederic Teppe
;
Nina Dyakonova
;
Wojciech Knap
;
Richard De La Rue
;
Sophie Bouchoule
;
Emmanuel Margeat
;
Catherine Royer
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
GaN;
photonic crystal;
second-harmonic generation;
multiphotonic microscopy;
terahertz;
single molecule;
34.
Investigation of emission polarization and strain in InGaN/GaN multiple quantum wells on nanorod epitaxially lateral overgrowth templates
机译:
在纳米棒外延横向过生长模板上的InGaN / GaN多量子阱中的发射极化和应变的研究
作者:
Huei-Min Huang
;
Tien-Chang Lu
;
Chiao-Yun Chang
;
Yu-Pin Lan
;
Shih-Chun Ling
;
Wei-Wen Chan
;
Hao-Chung Kuo
;
Shing-Chung Wang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
non-polar;
InGaN/GaN MQWs;
optical polarization;
strain;
35.
Free-standing a-plane GaN substrates grown by HVPE
机译:
HVPE生长的独立式a面GaN衬底
作者:
Yin-Hao Wu
;
Yen-Hsien Yeh
;
Kuei-Ming Chen
;
Yu-Jen Yang
;
Wei-I Lee
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
hydride vapor phase epitaxy;
non-polar gallium nitride;
semiconducting III-V materials;
36.
Electrical properties of ZnO:Ga as a transparent conducting oxide in InGaN based light emitting diodes
机译:
ZnO:Ga作为InGaN基发光二极管中的透明导电氧化物的电学性质
作者:
H.Y. Liu
;
X. Li
;
F. Zhang
;
V. Avrutin
;
N. Izyumskaya
;
UE. OEzguer
;
A.B. Yankovich
;
A.V. Kvit
;
P.M. Voyles
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
GZO;
GaN;
sapphire;
LED;
mobility;
37.
Effects of polarization fields on avalanche breakdown of AlGaN quantum-well photodiode
机译:
极化场对AlGaN量子阱光电二极管雪崩击穿的影响
作者:
Sheng-Kun Zhang
;
Wubao Wang
;
Robert R. Alfano
;
Amir. M. Dabiran
;
Andrew M. Wowchak
;
Peter P. Chow
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
polarization field;
impact ionization coefficient;
AlGaN quantum well;
carrier screening;
38.
Spinoptics: Spin degeneracy removal in nanostructures
机译:
自旋光学:去除纳米结构中的自旋简并
作者:
Vladimir Kleiner
;
Nir Shitrit
;
Erez Hasman
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
nanoaperture;
plasmon-polariton;
spin-orbit interaction;
geometric phase;
optical spin-hall effect;
39.
GaN substrates with variable vicinal angles for laser diode applications
机译:
用于激光二极管应用的具有可变毗连角的GaN基片
作者:
Marcin Sarzynski
;
Tadeusz Suski
;
Grzegorz Staszczak
;
Piotr Perlin
;
Michal Leszczynski
;
Anna Reszka
;
Bogdan Kowalski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
gallium nitride;
miscut substrates;
vicinal surfaces;
patterning;
MOVPE;
InGaN;
quantum wells;
laser diodes;
40.
High growth rate of AlGaN for buffer structures for GaN on Si to increase throughput
机译:
AlGaN的高生长速率可用于Si上GaN的缓冲结构以提高产量
作者:
Koh MATSUMOTO
;
Akinori UBUKATA
;
Kazutada IKENAGA
;
Kazuki NAITO
;
Jun YAMAMOTO
;
Yoshiki YANO
;
Toshiya TABUCHI
;
Akira YAMAGUCHI
;
Yuzaburo BAN
;
Kosuke UCHIYAMA
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
GaN on si;
MOVPE;
AlGaN;
AlN;
AIN/GaN SLS;
41.
Pyramid nano-voids in GaN and InGaN
机译:
GaN和InGaN中的金字塔纳米空隙
作者:
A.B. Yankovich
;
A.V. Kvit
;
H.Y. Liu
;
X. Li
;
F. Zhang
;
V. Avrutin
;
N. Izyumskaya
;
UE. OEzguer
;
H. Morkoc
;
P.M. Voyles
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
aberration-corrected STEM;
void;
InGaN;
GaN;
quantum wells;
light emitting diode;
42.
Carbon-doped p-type (0001) plane AlGaN (Al=0.06 to 0.55) with high hole density
机译:
空穴密度高的碳掺杂p型(0001)平面AlGaN(Al = 0.06至0.55)
作者:
Hideo Kawanishi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
carbon doping;
AlGaN;
p-type conductivity;
electrical activity;
shallow acceptor;
43.
High pressure annealing of Europium implanted GaN
机译:
implant注入GaN的高压退火
作者:
K. Lorenz
;
S. M. C. Miranda
;
E. Alves
;
I. S. Roqan
;
K. P. ODonnell
;
M. Bockowski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
GaN;
rare earth doping;
europium;
ion implantation;
rutherford backscattering spectrometry;
X-ray diffraction;
photoluminescence;
44.
Highly efficient InGaN/GaN blue LED on 8-inch Si (111) substrate
机译:
在8英寸Si(111)衬底上的高效InGaN / GaN蓝色LED
作者:
Jun-Youn Kim
;
Youngjo Tak
;
Jaekyun Kim
;
Hyun-Gi Hong
;
Suhee Chae
;
Jae Won Lee
;
Hyoji Choi
;
Youngsoo Park
;
U-In Chung
;
Jong-Ryeol Kim
;
Jong-In Shim
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
light emitting diode (LED);
gan on si;
vertical LED;
45.
VLED for Si WAFER-LEVEL PACKAGING
机译:
用于硅晶片封装的VLED
作者:
Chen-Fu Chu
;
Chiming Chen
;
Jui-Kang Yen
;
Yung-Wei Chen
;
Chingfu Tsou
;
Chunming Chang
;
Trung Doan
;
Chuong Anh Tran
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
关键词:
VLED chip on si package;
heat dissipation;
CCT;
uniform lambertian;
luminous flux;
46.
The Impact of Active Layer Design on Quantum Efficiency of InGaN Light Emitting Diodes
机译:
有源层设计对InGaN发光二极管量子效率的影响
作者:
F. Zhang
;
X. Li
;
S. Okur
;
V. Avrutin
;
UE. OEzguer
;
H. Morkoc
;
S. M. Hong
;
S. H. Yen
;
T.S. Hsu
;
A.Matulionis
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
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2012年
47.
Device Characteristics of InGaN Quantum Well Light-Emitting Diodes with AlInN Thin Barrier Insertion
机译:
AlInN薄壁垒插入的InGaN量子阱发光二极管的器件特性
作者:
Guangyu Liu
;
Jing Zhang
;
Hongping Zhao
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VII》
|
2012年
关键词:
III-nitride;
light-emitting diodes;
InGaN QWs;
efficiency droop;
carrier leakage;
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